文章作者用非**中子散射探测了电子型最佳掺杂高温超导体Nd1.85Ce0.15CuO4-δ(Tc=25K)的磁激发谱.当样品的温度从正常态逐渐降低至超导态时,在以波矢Q=(π,π,0)为中心的区域,系统打开了一个小于4meV的自旋隙,与此同时,在9.5meV附近出现了一个"中子-自旋磁共振峰",并且"共振峰"的强度随温度的变化关系类似于超导序参量在超导相变发生时的变化,这一点与以前发现的各种空穴型超导体以及电子型超导体Pr0.88LaCe0.12CuO4中的"共振峰"的*质极为相似.因此可以说明"共振峰"是所有高温超导体的共*,并且对高温超导电*的形成有着非常关键的作用.
戴鹏程,DAIPeng-Cheng(田纳西大学物理与天文系,田纳西,美国,37996-1200;橡树岭国家实验室中子散射中心,田纳西,美国,37831-6393)
在室温至160℃范围内测量了掺钇钨*铅(PWO:Y)晶体的直流电导率,*此时的载流子为极化子.观察到极化子由能带导电到跳跃导电转变引起的电导率极小.在此温区的交流导纳分析给出的交流电导率比直流电导率大三个数量级,说明此时的交流电导率主要是...
通过三*乙*盐-金属有机沉积(TFA-MOD)方法在LaAlO3单晶基片上制备了YBa2Cu3O7-δ(YBCO)高温超导薄膜,并测定在垂直于a-b面的外加交变磁场下薄膜样品的交流磁化率随温度的变化关系,在频率543.2Hz、振幅1V条件下...
采用快速液相烧结工艺制备出Bi1-xNdxFeO3(BNFO-x,x=0.00~0.20)多铁陶瓷样品,研究了掺杂对BiFeO3微观结构和铁电、磁电及介电*能的影响.X射线衍射谱显示样品BiFeO3的相均已形成,且在掺杂量x=0.10附近出...
MgB2超导体具有临界转变温度39K、原材料廉价及制备工艺简单等优点,被认为是MRI中已用超导体最好的替代者.但是临界电流密度(Jc)随外加磁场增大下降较快的这一问题极大的阻碍了其实际中的应用.实验结果表明:采取掺杂的方法来提高MgB2的超...
在BaFBr:Eu2+中掺入Si4+合成了一种新的X射线影像板材料,其主要光激励发光(PSL)*能,如射线敏感度和长波可激发*都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2+.用喇曼和顺磁共振(EPR)等手段表征了掺Si4+后BaFBr∶Eu2+...
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